加码碳化硅领域布局，深圳哈勃投资天域半导体-技术圈

7月5日消息，根据企查查信息显示，7月1日，东莞市天域半导体科技有限公司（以下简称“天域半导体”）发生工商信息变更，新增深圳哈勃科技投资合伙企业（有限合伙）（以下简称“深圳哈勃”）为股东，同时注册资本从9027.0589万元增至9770.4638万元。

根据官网资料显示，天域半导体(TYSiC)成立于2009年，是中国第一家从事碳化硅 (SiC) 外延晶片市场营销、研发和制造的私营企业。同时，天域半导体也是中国第一家碳化硅半导体材料供应链的企业获得汽车质量认证(IATF 16949) 。

2010年，天域半导体与中国科学院半导体研究所合作，共同创建碳化硅研究所。天域半导体可提供4英寸、6英寸碳化硅外延晶圆，是制作各种单极、双极型碳化硅功率器件的关键材料。目前，天域在中国拥有最多的碳化硅外延炉-CVD，月产能5000件。凭着最先进的外延能力和最先进的测试和表征设备，可以为全球客户提供 n-型和 p-型掺杂外延材料、制作肖特基二极管、JFETs、BJTs、MOSFETs，GTOs 和 IGBTs等。

需要指出的是，深圳哈勃是华为旗下投资公司，成立于2021年4月15日，注册资本20亿元。华为技术有限公司为其第一大股东，持股69%；华为终端（深圳）有限公司持股30%；哈勃科技投资有限公司持股1%。