台积电看好GaN未来十年机会，聚焦五大应用领域

9月7日，在SEMICON 台湾线上论坛上，台积电研发资深处长段孝勤台积电在化合物半导体领域专注在氮化镓（GaN）相关开发，历经长期的发展氮化镓已逐渐开始被市场接受，预期未来十年将有延展更多应用 (addressable applications）。

他指出，台积电观察氮化镓商机会在五个领域包含快充、资料中心、太阳能电力转换器、48V DC/DC以及电动车 OBC/转换器，对于相关应用蓝图并有对应制程设计。

段孝勤提到，台积电过去二十年在功率提升上投入，人们希望使用装置的耗能越少越好，台积也已在BCD电源管理技术上投入，功率元件自然也是重要关键，目前行动装置所需BCD制程已到0.13第三代，并正在开发90/55/40/22 BCD，车用部分已有0.18第二代BCD与0.13BCD并正开发最高SOI可达100 V的55 BCD 制程。NVM在电源管理应用上，已推出MRAM对应28/22奈米制程等。

段孝勤也展示台积电应对MOSFT的动态与静态制程特性，协助客户开发在功耗瓦数上降低与让产品最终成功。至于台积电观察有别碳化矽（SiC）应用材料特性，更关注在氮化镓（GaN）的商机，看好GaN充电特性更快了、更轻薄以及更有效率，效率大于过往三倍，同时在资料中心设计上也是如此。

就新材料开发上，他提到，GaN on Si的挑战主要是表面的不平整程度考验。台积电已开发GaN-on-Silicon技术应对功率与RF元件需求，磊晶代工厂也已发展出6吋GaN-on-Silicon晶圆生产等。

来源：经济日报