RAM 目标与多工程空间
马上就要过春节了，在这里提前祝各位新年快乐！有些读者应该注意到了，前几天更新的比较频繁（我一般是周更的），就是因为这是一个完整的知识点，所以想在过年前更新完成。而且在过年的时候也有很多事情要做，没有时间更新内容，所以算是提前更新了。还有就是这个知识点还是比较多，所以不是非常完整的，只作为了解性内容。还有 RAM 下载目标的内容还是比较多的，所以并没有很系统的讲解。另外这部分的目标也并没有完成，所以公众号提供的工程目标只有三个目标，不过应该够一般使用了。后期我会将这个工程完成的，到时候会在公众号说明，有需要的回复关键字即可获取。
别在意，我只是一条分割线
RAM 目标
我们都知道， FLASH 下载次数是有限制的，虽然对一个项目来说，一个芯片下载次数完全够项目的开发使用，但有的开发板会进行很多项目的测试功能，比如我就有一个开发板，将所有的 I/O 引脚都引出来了，很多功能我都可以通过杜邦线连接来进行测试，非常方便。但也正因为如此，所以几年下来可能会在这个开发板上烧写不知多少次，很可能某一天就把 FLASH 给烧坏了，这样一来芯片就没用了。你可能会说，不怕，我的焊工好，焊一个芯片分分钟的事情，但是你考虑焊盘的感受吗？焊盘经不起你多少次焊接可能就废了，而且也不是随时随地都有芯片和焊接工具给你焊接啊。所以最好的办法就是使用 RAM 下载功能。
RAM 下载最大的好处就是下载次数无限，所以你可以使劲尝试各种可能，直到成功为止，根本不必考虑烧写次数问题，但是也有缺点。
我们知道 STM32 分为 FLASH 和 RAM 两部分空间，本来 RAM 专门用来存放数据的， FLASH 用来放代码和不变的数据，现在好了，所有的代码和数据都放在 RAM 中，而 RAM 的空间一般来说不是很大，所以一些大的项目是无法使用 RAM 的方法存储的，只能对一些小项目或者功能进行测试。而且原来分了两条总线对 FLASH 和 RAM 进行分别访问（哈佛结构），效率高，现在只能通过一条总线（应该是一条总线吧，也可能还是有两条总线同时访问）访问一个目标 RAM ，效率可能下降。但这些缺点不是很明显，毕竟下载次数无限的诱惑力还是相当大的。所以有必要新增一个专门用来功能测试的目标，这样你就可以尽情的测试了！
和建立 FLASH 目标一样，不过不同的是现在以 FLASH 作为模板创建新的 RAM 目标，这是因为 FLASH 目标已经具有下载功能了。
具体如何建立 RAM 目标可以参考 RAM 下载这一小节内容。除了多了几个目标之外，其他设置都是类似的。但是因为这个笔记是很久之前写的（也可能是哪里摘抄的，不记得了），感觉写的不是很好，所以后期我会根据这个内容再重新整理，如果等不及的话的可以自行尝试。
需要注意一点的就是，因为所有的代码都是下载在 RAM 中的，所以不能使用复位按钮，因为一旦进行复位，那么程序就会跳转到 FLASH 区进行执行，导致无法再执行到 RAM 中的程序里面，所以暂时不能使用复位按钮。但是这个问题是可以解决的，后期我会在整理的 RAM 下载小节中介绍这个方法。
所以有了前面的基础，再建立一个 RAM 目标是很简单的事情。感兴趣的可以自行尝试，实在不行就等着我的笔记出炉吧。
多工程
多目标解决了同一个芯片下不同功能代码的问题，现在还有一个问题就是如何管理不同芯片下的代码呢？比如 STM32F1 和 STM32F4 单片机是两个不同工程，他们的关系不再是多目标的关系，而是不同工程的关系，又该如何呢？这个时候就需要使用多工程的功能进行管理了。
怎么做呢？
首先建立一个多工程空间：
然后在不同工程文件夹下建立多工程空间：
然后将你需要的工程加入到这个空间当中进行管理：
同理可以添加其它需要的工程。
然后选择你需要的当前工程：
这样这个空间就建立好了：
当然你可以在工程上通过右键选择你需要的活动（当前）工程：
通过这个方法你就可以随时切换你的活动工程了。
如果你想继续添加你的工程，可以通过以下方法管理你的多工程空间：
这样一来多工程空间就算介绍完毕了，通过这些知识应该能很好的管理你的代码了。
-THE END-
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