刻蚀主要负责去除特定区域的材料从而形成微小的结构图案，与光刻、薄膜沉积并称为半导体制造三大核心设备，占半导体前道设备价值总量的22%，地位举足轻重。等离子体干刻是目前刻蚀的主流方案，包括ICP和CCP两大类，ICP可用于硅、金属以及部分介质刻蚀，CCP主要用于介质刻蚀，两者市占率平分秋色。
随着晶体管尺寸不断缩小，对刻蚀的精准度要求更高，原子层刻蚀（ALE）登场，其可以看做是ALD的镜像过程，具备自停止属性，刻蚀精度达单原子层级，已经应用于自对准接触等需原子级精密控制的工艺中，颇具潜力。
全球刻蚀设备市场属于寡头垄断格局，LAM、TEL、AMAT三巨头长期占据全球九成以上的市场份额，LAM一家市占率就接近五成，垄断性强。然而，刻蚀也是国内率先取得突破的半导体核心设备，已成功打破海外垄断进入国际市场，2015年，美国商务部取消了等离子体刻蚀机对中国的出口控制，侧面印证了国内刻蚀设备已经取得突破。
中微公司、北方华创、屹唐股份等厂商在刻蚀设备的国产化方面做出了突出贡献。总体看，国内刻蚀设备成功打破海外垄断，达到国际先进水平，是国产替代的典范。
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