SK海力士发布全球首款238层闪存芯片,明年上半年量产
芯智讯
共 819字,需浏览 2分钟
·
2022-08-09 11:51
8月3日消息,韩国存储芯片制造商SK海力士今日表示,该公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLC(Triple Level Cell)4D闪存芯片(NAND)样品,该芯片将于明年上半年实现量产。
据悉,SK海力士当天在美国加州举行的2022全球闪存峰会上首次公开该产品。
SK海力士表示,这是公司自2020年12月研发出176层NAND后时隔1年零7个月成功研发下一代新技术。尤其是新产品既拥有业界最高层数,也是目前最小的NAND产品,其意义重大。
与176层NAND相比,新产品的生产效率提升34%,数据传输速度(每秒2.4Gb)提升50%,功耗减少21%。
SK海力士计划先为客户端固态硬盘(SSD)供应238层NAND,之后逐步将产品使用范围扩大至智能手机和大容量服务器固态硬盘,并于明年推出该产品的1Tb扩容版。
值得注意的是,在今年7月底,美光已经宣布量产了业界首款232层NAND芯片。虽然SK海力士宣布的238层NAND芯片堆叠层数要更高一些,但目前仍然还是纸面上的宣布,量产时间还要等到明年上半年。
编辑:芯智讯-林子
北斗三号系统建成开通两周年:基础设施端核心技术已实现自主可控
美国对华禁售14nm及以下先进制程所需设备!台积电等也受影响!
行业交流、合作请加微信:icsmart01
芯智讯官方交流群:221807116
评论