SK海力士发布全球首款238层闪存芯片，明年上半年量产
8月3日消息，韩国存储芯片制造商SK海力士今日表示，该公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLC（Triple Level Cell）4D闪存芯片（NAND）样品，该芯片将于明年上半年实现量产。
据悉，SK海力士当天在美国加州举行的2022全球闪存峰会上首次公开该产品。
SK海力士表示，这是公司自2020年12月研发出176层NAND后时隔1年零7个月成功研发下一代新技术。尤其是新产品既拥有业界最高层数，也是目前最小的NAND产品，其意义重大。
与176层NAND相比，新产品的生产效率提升34%，数据传输速度（每秒2.4Gb）提升50%，功耗减少21%。
SK海力士计划先为客户端固态硬盘（SSD）供应238层NAND，之后逐步将产品使用范围扩大至智能手机和大容量服务器固态硬盘，并于明年推出该产品的1Tb扩容版。
值得注意的是，在今年7月底，美光已经宣布量产了业界首款232层NAND芯片。虽然SK海力士宣布的238层NAND芯片堆叠层数要更高一些，但目前仍然还是纸面上的宣布，量产时间还要等到明年上半年。
编辑：芯智讯-林子
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