小米澎湃P1芯片并非自研？南芯半导体回应：不实传言！-技术圈

2月9日消息，近日，有微博用户发布消息称，小米于去年12月发布的支持单电芯120W快充的“自研充电芯片”澎湃P1并非小米自研，实际是从外部购买的。对此，小米澎湃P1芯片的代工方——南芯半导体于2月9日发布声明回应称，该传闻为“不实传言”。

12月24日，小米在“广东省终端快充行业协会成立大会”上，正式公布了第三款自研芯片——澎湃P1，这也是小米首款自研的充电芯片，支持单电芯120W快充，随后这款芯片由小米12 Pro首发搭载。

据介绍，澎湃P1作为业界首个谐振充电芯片，澎湃P1拥有自适应开关频率的4:1超高效率架构，谐振拓扑效率高达97.5%，非谐振拓扑效率为96.8%，热损耗直线下降30%。澎湃P1也是小米充电效率最高的4:1充电芯片，可做到0.83W/mm²超高功率密度，LDMOS也达到业界领先超低1.18mΩmm²RSP。凭借高效的超高压 4:1 充电架构，澎湃P1实现了 120W 单电芯充电，并支持 1:1、2:1 和 4:1 的转换模式，所有模式均可双向导通，可实现有线 120W、无线 50W、无线反充等多种充电功能。

小米表示，过去的单电芯快充体系中，要把输入手机的 20V 电压转换成可以充入电池的 5V 电压，需要 5 个不同种电荷泵的串并联电路。大量的电荷泵和整体串联的架构会带来很大的发热量，实际使用中完全无法做到长时间满功率运行，更难以做到 120W 高功率快充。而驱动小米 120W 澎湃秒充的核心是两颗小米自研智能充电芯片：澎湃 P1。它们接管了传统的 5 电荷泵复杂结构，将输入手机的高压电能，更高效地转换为可以直充电池的大电流。

不过，近日微博用户@萌爸峰总发布了一组小米澎湃P1芯片与另一款已隐去名称的芯片的晶圆丝印对比图，从图片来看，两款芯片的晶圆丝印对比图极为相似。该微博得到了不少网友的转发评论，有网友在下面评论称，“澎湃P1是买的”。

对于网上的相关传闻，上海南芯半导体科技股份有限公司于2月8日发布了《关于对小米澎湃P1不实传言的说明》称，小米澎湃P1芯片为小米自研设计、南芯半导体代工（内部代号 SC8561）。虽然南芯半导体2021年9月发布过一款快充芯片——南芯SC8571，但是这款芯片与小米澎湃P1还是有着较大区别。南芯SC8571为超高压4:2充电架构，可实现120W双电芯充电，其针对超大功率充电需求，支持4:2、2:2 两种模式。而澎湃P1则是超高压 4:1 充电架构，实现了120W 单电芯充电，并支持 1:1、2:1 和 4:1 的转换模式。

南芯半导体表示，“小米自研的澎湃P1 充电芯片与南芯SC8571拓扑结构完全不同，是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片。”