长江存储开始向客户交付192层3D NAND样品，预计年底正式量产
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2022-05-21 00:16
5月18日消息，据台湾《电子时报》援引消息人士的话报道称，长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出相应产品。
上述消息人士表示，顺利推出192层3D NAND闪存芯片，是长江存储的一个里程碑。该公司正努力在NAND技术上追赶领先的韩国及美国竞争对手。
消息人士称，目前长江存储的128层3D NAND工艺良率已改善至令人满意的水平，长江存储也将月产量扩大至10万片晶圆。该公司将很快完成其总部位于武汉的工厂二期设施的建设，设备入驻预计将在今年晚些时候启动。到2023年底，长江存储月产量可能超过20万片，全球市场份额有望达到7～8%。
值得注意的是，近日，存储芯片大厂美光（Micron）发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，并计划将这款 232 层堆栈 3D NAND Flash芯片应用于包括固态硬盘等产品上，预计在 2022 年底左右开始量产，并将在2023年推出的新款SSD中使用。此外，三星电子预计也将在2022年下半年推出200层以上3D NAND闪存。
资料显示，长江存储成立于2016年7月，由紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投在武汉新芯的基础上组建成立。据统计，长江存储总投资约1600亿元。
2016年12月，以长江存储为主体的国家存储器基地正式开工建设，其中包括3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，预计项目建成后总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。
依托武汉新芯已有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式，长江存储已于2017年研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片。而随着2018年长江存储的32层NAND Flash的量产，国产闪存芯片终于实现了重大突破。不过，由于该技术与国际主流技术相差较大，所以并未在市场获得成功。
2019年9月长江存储正式宣布，成功量产基于自研的Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND Flash。据长江存储介绍，该闪存满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求，与目前业界已上市的64/72层3D NAND闪存相比，其拥有同代产品中更高存储密度。
随后长江存储的64层256Gb TLC 3D NAND闪存还成功打入了华为Mate40系列的供应链。
为了进一步缩短与三星、SK海力士、铠侠等公司的差距，长江存储跳过了96层，直接进行了128层3D NAND Flash的研发。
2020年4月13日，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
据介绍，长江存储X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），单颗容量512Gb(64GB)，以满足不同应用场景的需求。
2020年8月，长江存储又推出自有存储品牌“致钛”，随后推出了一系列自有品牌SSD产品，并在市场上获得了不错的表现。
去年10月，国外权威研究机构Tech Insights对长江存储的128层TLC 3D闪存进行了芯片级的拆解，发现其存储密度达到了目前业界最高的8.48 Gb/mm²，远高于三星、美光、SK海力士等一线NAND芯片大厂。
今年3月底，业内传出消息称，长江存储已正式打入苹果iPhone的NAND Flash供应链，为iPhone SE 3供应NAND Flash芯片。
编辑：芯智讯-林子
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