Wolfspeed启用全球最大8英寸SiC晶圆厂
4月26日消息，碳化硅（SiC）大厂Wolfspeed于美国股市4 月25日盘后宣布，其位于美国纽约州马西（Marcy）Mohawk Valley 的全球最大8英寸碳化硅制造设施正式启用，并于当日举行了剪彩仪式。
Wolfspeed表示，Mohawk Valley晶圆厂是全球第一个、最大、也是唯一的8英寸（200mm）碳化硅晶圆厂（此前碳化硅器件制造主要基于6英寸的碳化硅晶圆），2029年底前将为当地创造超过600份高科技工作。
Wolfspeed总裁兼首席执行官Gregg Lowe表示，“我为我们的团队和所有的合作伙伴感到非常自豪，他们在这么短的时间内创造了这一不朽的奇迹。该工厂不仅将在2022年为客户提供产品，还将为美国的长期竞争力提供保障。”
Wolfspeed还于美股25日盘前宣布，Lucid Motors的高性能纯电动车（EV）Lucid Air将部署Wolfspeed碳化硅电源装置解决方案。
Wolfspeed、Lucid已签订多年协议，Wolfspeed将生产、供应碳化硅器件。
Gregg Lowe表示，随着世界迈向全电动运输，碳化硅技术处于产业过渡至电动车的第一线，协助实现优异的性能、续航里程和充电时间。
Lucid Motors产品高级副总裁兼首席工程师Eric Bach表示，“将与Wolfspeed合作，在纽约州采购最高质量的碳化硅组件，为电动汽车行业提供更多的美国就业机会。”
在2021年10月，Wolfspeed还曾宣布与通用汽车（General Motors Co, GM）签署一项策略供应协议，Wolfspeed将为GM EV提供碳化矽功率装置解决方案。
资料显示，碳化硅一种宽禁带化合物半导体材料，相对于传统的硅材料来说，碳化硅属于第三代半导体材料的典型代表，其拥有禁带宽度宽、耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势， 可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前，碳化硅半导体器件主要应用于高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域。
需要指出的是，而碳化硅材料的生长也效率非常低，并不像硅材料那样，可以相对容易的制备出数米长的晶棒。目前碳化硅生长出来体积也相对比较小，所以大多数情况下都只能制备成直径100mm或150mm晶圆。而且，碳化硅属于硬度非常高（碳化硅单晶材料莫氏硬度分布在9.2～9.6之间，仅仅比金刚石的硬度低0.5左右）的脆性材料，因此，碳化硅晶圆的制备损耗非常高（通常损耗高达三分之二），良率也比较低。
日经亚洲评论去年10月报导，Patent Result分析显示，Wolfspeed的碳化硅专利竞争力处于领先地位，第二至五名依次为罗姆（Rohm Co.）、住友电工、三菱电机以及电装（DENSO）。
值得一提的是，德国汽车零件供应商博世（Robert Bosch GmbH）自2021年底也开始量产可让电动汽车续航里程增加6%的车用碳化硅功率半导体。
博世今年2月还宣布，基于旗下车用/消费用微机电系统（MEMS）感测器、碳化硅功率半导体产品需求持续攀升，公司决定加码投资2.5亿欧元以缓解全球芯片短缺现象。
编辑：芯智讯-浪客剑
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