2nm芯片研发取得重大突破!台积电迈向GAA,三星和Intel慌了吗?
新智元报道
新智元报道
编辑:梦佳、舒婷
【新智元导读】据报道,台积电冲刺先进制程,在 2nm 研发有重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术 (gate-all-around,简称 GAA)。
尽管5nm刚实现量产不久,台积电和三星就开始瞄准更先进的制程。
据报道,台积电在2nm研发有重大突破,将切入环绕式栅极技术 (gate-all-around,简称 GAA)技术。
台积电在先进制程方面可谓是一骑绝尘。前几天刚刚宣布其3nm制程预计2021年风险量产,2022年下半年量产。近日又传出2nm研发的重大突破!
报道还总结了台积电近年来整个先进制程的布局。业界估计,台积电2nm将在2023至2024推出。
GAA技术给摩尔定律续命,胡正明团队的FinFET到瓶颈了?
报道中的另外一个重点是,此番台积电将切入GAA技术,而在此前之前还宣布台积电在3nm节点将继续使用FinFET工艺。
FinFET工艺全称Fin Field-Effect Transistor,中文名叫鳍式场效应晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。
随着技术的不断演进,工艺节点制程也在不断突破极限。
在现在广泛使用的FinEFT技术提出之前,根据摩尔定律,芯片的工艺节点制程的极限是35nm。
提到FinEFT技术,就不得不提到一个人,那就加州大学伯克利分校的胡正明教授,他可是被称作是拯救了摩尔定律的男人。
FinEFT工艺由胡正明团队率先提出并研发成功,当时预测该晶体管器件能够使工艺节点继续发展到20nm以下,这一预测在今天已经得到了验证。
胡正明
在2011年初,英特尔推出了商业化的FinFEt,他们在22nm的第三代酷睿处理器上第一次使用FinFET工艺。台积电等主要半导体代工企业也已经开始陆续推出自己的 FinFEt。从2012年起, FinFet已经开始向20mm节点和14nm节点推进。
并且,依托FinEFT技术,芯片工艺节点制程已经发展到7nm,5nm甚至是3nm,也遇到了瓶颈。FinFET 本身的尺寸已经缩小至极限后,无论是鳍片距离、短沟道效应、还是漏电和材料极限也使得晶体管制造变得岌岌可危,甚至物理结构都无法完成。
于是比FinEFT提出要早上10年的GAA又重新进入了人们的视野。
FinFET工艺实质上就是在原有的平面上晶体管架构基础上增加了一个栅极,这样可以让尺寸很小的晶体管减少漏电。因为大部分的漏电是来自于沟道下方的流通区域,也就是短沟道效应。
全环绕栅(gate-all-around)是FinFET技术的演进,可以用来抑制短沟道效应的技术。
事实上,GAA也只是一个技术代称,台积电的GAA逻辑制程跟三星电子GAA肯定有所不同,台积电此举大概是告诉大家,FinFET的极限就是3nm了,之后要用GAA概念去量产2nm。
2nm市场,台积电三星「剑拔弩张」,Intel「笑看风云」
2nm风云后的芯片市场:几家欢喜几家愁
说到台积电不得不提华为。据悉,台积电将从9月15日开始对华为断供。
断供如果是第一打击,那么2nm芯片制程工艺让华为芯片雪上加霜。如果没有了先进制程工艺的加持,「麒麟」的性能将寸步难行,很难再与高通「骁龙」,三星「猎户座」等竞品相提并论。手机游戏与软件的发展对手机性能的要求逐步提高,如果华为不关注芯片制程和性能,那么未来发展将会受到局限。
除了华为,中芯国际的压力也陡然增大。中芯国际今年实现了14nm 的量产,与目前已经实现量产的5nm工艺还有三个代差。尽管中芯国际被「寄予厚望」,但能否不负众望还未可知。
知乎用户@超级吐槽段子手 就这样说道:
AMD作为台积电的客户当然是开心的,台积电的制程进步很大概率上意味着它能够为AMD提供更好的产品。三星和台积电的竞争现今也是良性的,两者你追我赶的架势其实也促进了技术的发展。Intel素来对芯片制程的进步态度暧昧,对此可能并没有什么波澜。
当然对于是否有必要做2nm的讨论颇多,毕竟Intel就是一个很好的例子。知乎网友@少年珂神酷就指出,现今的体验已经很好了,这种制程进步不一定必要。
制程的进步是否重要还是取决于性能。从现在的角度来看,如果GAA技术的方向是对的,那么我们有理由相信,未来,三星和台积电将在2-3nm制程给我们带来更多的惊喜。
参考链接:https://www.zhihu.com/question/406643900