李晟曼,1994年出生,17岁考上华中科技大学。目前,她已入职湖南大学材料科学与工程学院,担任副教授、博士生导师。根据教育部公布的全国第四轮学科评估结果,湖南大学材料科学与工程学科的评级为B。15年本科毕业之后,李晟曼顺利直博,就读于华中科技大学光学与电子信息学院,师从吴燕庆教授。李晟曼的研究方向,主要聚焦于纳米材料生长、微纳电子器件加工制备、新原理器件制备与测试,以及电路设计与集成。其中高光时刻,发生在2019年读博期间,李晟曼以第一作者的身份,在Nature子刊Nature Materials(影响因子38.663)上发表题为《Nanometre-thin indium tin oxide for advanced high-performance electronics》的论文。这项研究挑战了超低功耗电子器件面临的性能、工艺等方面的难题,基于厚度为4nm的超薄氧化铟锡(ITO)沟道,以及等效物理厚度(EOT)0.8nm的高质量、镧掺杂的二氧化铪(HfLaO)电介质,创造了短沟道有源晶体管。 在将器件沟长从30μm缩小至40nm的情况下,依然保持高器件性能,综合表现远超之前基于二维材料和其他金属氧化物器件。此外,2019年,李晟曼还在微电子器件领域顶会IEDM上作了口头报告,题为《BEOL Compatible 15-nm Channel Length Ultrathin Indium-Tin-Oxide Transistors with Ion = 970 μA/μm and On/off Ratio Near 1011 at Vds = 0.5 V》。这一报告甚至还引起了台积电的关注,可见研究之广泛影响力。 除此之外,李晟曼在博士期间,在光电集成与纳米制造领域发表10余篇SCI论文,也曾多次在如美国物理学会会议等国际大会上作口头报告。读博期间,李晟曼还是国家奖学金获得者。据知乎网友、李晟曼本科同学介绍,李晟曼一直以来十分刻苦。其导师吴燕庆教授严格对待学生,要求论文必须在顶会期刊上发表,才能拥有毕业资格。因此,李晟曼的日常工作强度非常大,经常做实验到半夜。